原子層沉積 (ALD)​

原子層沉積 (ALD) 是各式元件領域的重要推手，包括當今最先進的平面元件及產業的三維架構轉型。ALD 亦在 ICAPS 的用途上廣獲採用，包括鈍化保護層、封裝和光學功能。

ALD 製程會在晶片表面上一次形成一層材料，以生產出至薄且最均勻的薄膜。該製程的自限特性以及均勻沉積的相關能力，是實現微縮與三維技術的重要基礎。自限式表面反應讓原子級沉積控制成為可能：薄膜厚度僅取決於執行的反應週期數。表面控制會使薄膜的厚度極為一致且均勻，這兩種性質是新興三維元件設計上的關鍵所在。ALD 還能夠在低溫狀態下沉積出高品質的薄膜，實現其他技術難以達成的新型整合方案與功能。應用材料公司的 ALD 系統可以在晶圓上沉積各種氧化物、金屬氮化物和金屬，以在先進電晶體 (FinFET)、記憶體、導線、CIS、光電、功率和無線射頻應用中創建超薄層。