適用於各式元件的沉積技術

電鍍

製造半導體元件時，若要置入大量銅導線，ECD 是一個快速且符合成本效益的方法。 銅線是用來形成電路的導線。 若要讓電路正常運作，關鍵是將金屬完全填充此類的布線特徵（導孔和溝槽），使其無縫隙或孔洞，以免危及電性可靠性和功能性。

ECD 是先進封裝的關鍵製程，包括 2.5/3D、球格陣列、晶片級封裝和晶圓級封裝，適用於覆晶、扇出、扇入和混合鍵合等應用層面。 雖然銅是最常見的電鍍金屬，但 ECD 製程也可以讓金、鎳、銀和錫沉積。 ECD 甚至還可以形成多個連接結構，包括凸塊、柱狀物、RDL（細線重布線路層）、TSV （矽穿孔）和焊墊。

應用材料技術可達到由下而上填充和側壁抑制的平衡要求，能在小於 20 奈米且深寬比大於 5:1 的產品中產生完美無縫的填充。