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選擇性沉積
磊晶用於在半導體製造中創造完美的矽晶體基底層,以便在晶體基底層上建構半導體元件、沉積具電性的晶體薄膜,或改變底層的機械特性以改善導電性。
最後這項應用被稱為應力工程,其中的磊晶薄膜會在電晶體通道的晶格中形成壓縮或拉伸應力。應用材料公司的磊晶技術可滿足所有此類應用,生產高均勻度的薄膜、精準放置摻雜原子、極低的缺陷水準,以及應用於選擇性沉積的能力。
原子層沉積 (ALD)