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选择性沉积
在半导体制造中,外延工艺用于生成制造半导体器件所需的完美晶体基层用以沉积具有所设计的电气特性的晶体膜,或是改变底层的力学属性来提升其导电性能。
最后一项应用称为应变工程,其中外延膜在晶体管沟道的晶格中形成压缩应变或拉伸应变。应用材料公司的外延技术可满足所有这些应用的需求,生产出高度均匀的薄膜,精确放置掺杂原子,缺陷水平极低,并且具有选择性沉积的能力。
原子层沉积 (ALD)
化学气相沉积 (CVD)
物理气相沉积 (PVD)