適用於各式元件的沉積技術

金屬沉積

金屬在半導體製造中無處不在，並且在許多關鍵應用中發揮著重要作用。 金屬可透過多種技術沉積，包括原子層沉積 (ALD)、化學氣相沉積 (CVD) 和物理氣相沉積 (PVD)。 金屬可用在高速高介電常數金屬閘極，可開啟和關閉電晶體、創造源/汲極接觸點中的低阻抗歐姆接點，以及形成局部和後端的連接，能控制精準的電流流動，進而實現高效能和低功率元件。 除此之外，金屬用來形成記憶體元件中的字元線和位元線，以作為電容器元件的電極，以及用作襯墊層和阻障層，以加強附著力和可靠性。 它們還作為硬遮罩和蝕刻終止層中的圖案化主要材料。 金屬在摩爾定律的第四次進化，即異質整合中發揮著關鍵作用。 透過矽穿孔、重新分布層和混合鍵合墊，利用金屬結合技術在一個封裝內將多個晶片進行連接，使異質晶粒平台能夠整體運作。 金屬另在創建微電感器方面發揮了主要作用，這些微電感器被用於功率管理元件、功率元件的背面金屬化，以及在各種圖像感測器和通訊元件的製造。