あらゆるデバイスに対応した成膜技術

メタル成膜

金属は半導体製造のいたるところに必要であり、多くの重要な用途に活用されています。  金属の蒸着は、原子層成長（ALD）、化学気相成長（CVD）、物理気相成長（PVD）など、さまざまな技術を用いて行われます。 金属は、トランジスタをオン/オフする高速のHigh-kメタルゲートに使用され、ソース/ドレイン接点に低抵抗のオーミック接合を形成し、また、高性能で低消費電力のデバイスを実現するために電流の流れを正確に制御するローカル配線やバックエンド配線を形成します。  らに、金属はメモリデバイスのワードラインやビットラインを形成するために蒸着され、キャパシタデバイスの電極として機能し、接着性や信頼性を高めるためにライナーやバリアとしても使用されます。  また、ハードマスクやエッチングストップ層の重要なパターニング材料としても機能します。 金属は、ムーアの法則の第4の進化である不均一積分において重要な役割を果たします。 シリコンビアを通して、再配線層とハイブリッドボンディングパッドは金属配線技術を利用して、パッケージ内で複数のチップを接続し、ヘテロジニアスダイプラットフォームを1つのものとして機能させます。 金属はまた、パワーマネージメントデバイスに使用されるマイクロインダクターや、パワーデバイスの裏面メタライゼーションのほか、さまざまなイメージセンサや通信デバイスの製造においても重要な役割を担っています。