あらゆるデバイスに対応した成膜技術

原子層成長 (ALD)

ALDは、今日の最先端のプレーナデバイスや業界の3Dアーキテクチャへの移行など、複数のデバイスセグメントにわたって非常に重要な役割を担っています。 ALDはまた、パッシベーション、封止、光学機能など、ICAPS全体でさまざまな用途に採用されています。

ALDプロセスでは、可能な限り薄く、均一な層を形成するために、チップの表面に一層ずつ材料を積層していきます。 同プロセスの自己制御特性と関連する成膜の均一性能は、スケーリングと3Dを実現する上で基本となります。 表面における反応を自己制御することにより、原子スケールでの成膜制御が可能になります。膜厚は、反応サイクルの回数にのみ、依存します。 表面制御は、新興の3Dデバイスデザインに必要な特性となる、極めて均一かつ同形の膜厚を保つことができます。 また、ALDは低温で高品質な膜を成膜できるため、他の技術では不可能な新しい統合スキームや機能を可能にします。 アプライドのALDシステムは、先進のトランジスタ（FinFET）、メモリ、配線、CIS、オプトエレクトロニクス、パワー、RFアプリケーション向けに、さまざまな酸化物、金属窒化物、金属をウェーハ上に蒸着させて極薄の層を成膜します。