互連

推動超越電晶體微縮的創新

邏輯晶片的微縮不僅在於電晶體技術的進步，更取決於支撐電力傳輸與訊號連結的佈線。隨著 AI GPU 發展至數千億個電晶體以及數千英里的互連結構，日益增加的電阻和電容使材料和製程創新成為關鍵。

應用材料公司的互連與金屬沉積技術領先業界，過去 30 年來，Endura™ 系統幾乎是所有晶片製造的基礎，持續推動電晶體和佈線創新。最新的 Endura™ CuBS Volta™ 釕 CVD 系統，在真空條件下整合七種製程技術，透過選擇性 ALD 阻障層和無空隙銅回流技術，可降低高達 50% 通孔電阻，實現 3 奈米以下的邏輯微縮；其創新的釕鈷 (RuCo) 襯層為銅提供更多空間，提高每瓦效能。

佈線效能不只取決於金屬本身。Enhanced Black Diamond™ PECVD 系統的低介電常數材料透過更強韌的化學鍵結結構，有效降低寄生電容影響，同時提升 40% 機械強度，支援 2 奈米以下的電晶體佈線微縮。與 Endura 銅沉積技術協同優化的 Producer™ Viva™ 處理系統，可促進形成更大銅晶粒，並將錳摻雜劑聚集至表面，使佈線電阻降低超過 30%。Opta™ CMP 平台上的銅拋光技術，則以奈米級精度使各層平坦化，達到 EUV 對景深的要求。

除了前側技術進展，背面供電正成為下一個重要的互連技術轉折點。前側導線網路同時承載電源與訊號傳輸，容易造成壅塞，可能產生 50% 的電壓下降。將電源移至背面，可簡化前側設計、降低電阻和功耗，並在相同的微影條件下使邏輯密度提高 20-30%。應材將前側創新導入背面應用，進一步將其互連技術領先優勢擴展至新興市場領域。

隨著產業邁向環繞式閘極 (GAA) 電晶體、背面供電和埃米級特徵尺寸，連接這些元件的佈線技術將與元件本身同等重要。應材將持續透過材料工程突破，推動互連技術以及晶片發展。