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圖案成形製程是從晶圓表面橫向移除選定區域,將線路或導孔端之間的間距最小化(頂端到頂端的間距),並將線寬密度最大化。
圖案成形採用帶狀光束能量以及材料去除技術,從感應耦合電漿源中特別提取可調、帶有斜角的反應性帶狀光束,精確雕刻出所需的圖案形狀和尺寸。 圖案成形用於 EUV(極紫外線)圖案的形狀修改,降低間隙並在不需進行 EUV 雙重圖形曝光的情況下提升密度,進而節約第二次 EUV 圖案化製程所需的能源、材料、用水和成本。
化學機械平坦化 (CMP)