패턴 형성

패턴 형성 공정에서는 라인 엔드 또는 비아 엔드 사이의 간격(끝단 간격)을 최소화하고 형상 밀도를 최대화하기 위해 웨이퍼 표면에서 수평 방향으로 선택된 영역이 제거됩니다.

패턴 쉐이핑(Pattern Shaping)은 리본 빔(ribbon-beam) 에너지와 재료 제거 기술을 활용해 유도 결합 플라즈마에서 각도 조절이 가능한 반응성 리본 빔을 독자적으로 추출함으로써, 패턴을 원하는 형태와 치수로 정밀하게 성형합니다. 패턴 쉐이핑은 EUV 패턴을 재성형하는 데 활용돼 EUV 이중 패터닝 없이도 간격을 줄이고 밀도를 높일 수 있으며, 이를 통해 두 번째 EUV 패터닝 공정에 드는 에너지, 재료, 용수, 비용을 절감할 수 있습니다.