원자 수준 정밀도

화학 기계적 평탄화(CMP)

마이크로칩 제조의 여러 단계에서 웨이퍼 표면을 완벽하게 평탄화해야 합니다. 이는 과잉 재료를 제거하거나, 다음 회로층을 형성하기 위한 완벽하게 평탄한 기반을 만들기 위해 수행됩니다. 이를 위해 칩 제조사는 화학기계연마(CMP)라는 공정을 사용합니다.

CMP는 웨이퍼 이면 전체에 정밀한 다운포스(가압력)를 가하고, 화학물질과 연마재가 혼합된 특수 재료의 회전 패드에 웨이퍼 전면을 밀착시켜 전면의 과잉 재료를 제거하고 평탄화합니다. 300mm 웨이퍼 전체에 걸쳐 적정량의 재료가 균일하게 남도록 하기 위해, 이 공정은 재료 제거 과정에서 다운포스의 크기를 다양하게 조절해야 하며, 핵심 하부 피처가 연마되어 손실되지 않도록 정확한 시점에 공정을 멈춰야 합니다. 

어플라이드의 제어 시스템은 웨이퍼 전체의 여러 지점에서 필름 두께를 지속적으로 측정하며 매초마다 여러 차례 연마 압력을 조절하여, 모든 웨이퍼에서 일관된 결과를 만들어 냅니다. 전체 CMP 공정은 60초 정도의 짧은 시간 안에 완료되며, 여기에는 CMP 시스템을 종료하기 전 웨이퍼를 세척하고, 헹구고 건조하는 연마 후 세정 과정까지 포함됩니다.