化學機械平坦化 (CMP)
在製造微晶片的各種階段，晶圓表面必須完全平坦（平坦化）。 這是為了去除多餘的材料，或是為添加下一層的電路線寬建立完全平坦的基礎。 為了達成此目的，晶片製造商採用一種名為化學機械平坦化 (CMP) 的製程。
化學機械平坦化會移除晶圓正面的多餘材料並進行平坦化，方法是透過在晶圓背面施加精確的下壓力，將正面壓在特殊材料的旋轉墊上；特殊材料包含了化學物質和研磨劑的混合物。若要確保在整個 300mm 晶圓上保持均勻適量的材料，此製程必須在材料移除過程中施加不同的下壓力道，同時停在正確的位置，以避免研磨掉重要的底層結構。
應材的控制系統持續量測晶圓上不同點的薄膜厚度，每秒調整研磨下壓力道多次，以確保每片晶圓的一致品質。整個化學機械平坦化製程短至60 秒就能完成，包括退出化學機械平坦化系統前之清潔、沖洗和乾燥等研磨後清洗步驟。
