原子級精密度

成形和去除材料變得越來越重要。去除目標原子而不去除或損壞目標薄膜的其餘部分、以及相鄰的薄膜與結構，是一項需要精確度的工作。

導體蝕刻去除了在元件製造過程中沉積的導體與半導體材料，例如金屬和矽。介電蝕刻去除了絕緣膜，其往往具有更強的原子鍵，因此需要更高的能量。兩者通常都採用反應式離子蝕刻，其中反應性化學物質與高能離子轟擊晶片表面以產生孔、線與形狀。隨著元件尺寸的縮小，以及小型、密集封裝結構的精確成型越來越困難，具有低離子能量的原子層蝕刻正在興起。相反地，對於深寬比越來越高的 NAND 結構而言，接點蝕刻需要更高的離子能量。

選擇性去除利用具有自由基的化學物質去除靶材，而不會損壞周圍的材料，即使在無視距的情況下也可以工作。選擇性去除技術為塑造複雜的垂直結構，如 FinFET、三維 NAND 記憶體陣列和新興的環繞式柵極電晶體提供了全新的自由度。

化學機械平坦化 (CMP) 是一種物理拋光技術，利用化學與磨料來快速、精確地去除目標金屬和介電薄膜，為後續製程步驟留下堅固、均勻且平坦的基礎。CMP 對於建立垂直結構非常重要，因為這些結構需要良好的基礎。