半導體 (Semiconductor)
改質可以改變材料的特性。改質技術包含如加熱、冷卻、離子轟擊及注入等物理過程以及化學處理。這些製程可以影響材料中的電子流,並提高性能及功率。
離子植入(也稱為摻雜)利用高能量將精確數量的目標材料注入基材中,以改變電氣或材料特性。例如,將銅和砷植入矽中可增加電導率,並能產生電晶體和其他元件。注入矽的其他離子種類(如氫或氟)可以形成缺陷捕集阱的鈍化保護並減少漏電流。植入的離子還可用來調整薄膜特性,以提高蝕刻速率並改變介電常數。
退火加熱處理矽的目標區域,不僅能夠在植入後恢復基材的晶格結構,也可在加熱時藉由接觸特定的化學條件來改變材料性質。電漿氮化處理可嵌入精確數量的氮、氧或其他原子,進而修改薄膜的介電常數,以滿足特定元件需求。