蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域,以沉積其它材料。
「乾式」(電漿)蝕刻主要用於形成電路的製程步驟;「濕式」蝕刻(使用化學浴)則用於清潔晶圓表面。應用材料公司也提供創新型「乾式」的移除製程,不需使用電漿,即可選擇性移除各層的薄膜材料。一般而言,部分晶圓會在蝕刻時受到抗蝕刻「光罩」材料(如光阻劑)或硬遮罩(如氮化矽)的保護。
蝕刻製程是指介電質蝕刻或導體蝕刻,用以指明從晶圓上移除的薄膜材料類型。應用材料公司的蝕刻創新技術在充滿轉折點的道路上,始終滿足製程不斷提高的更多需求(例如:三維 NAND、EUV 圖案化和 FOWLP)。