蝕刻製程會移除晶圓表面的特定區域，以沉積其它材料。
「乾式」（電漿）蝕刻主要用於形成電路的製程步驟；「濕式」蝕刻（使用化學浴）則用於清潔晶圓表面。應用材料公司也提供創新型「乾式」的移除製程，不需使用電漿，即可選擇性移除各層的薄膜材料。一般而言，部分晶圓會在蝕刻時受到抗蝕刻「光罩」材料（如光阻劑）或硬遮罩（如氮化矽）的保護。
蝕刻製程是指介電質蝕刻或導體蝕刻，用以指明從晶圓上移除的薄膜材料類型。應用材料公司的蝕刻創新技術在充滿轉折點的道路上，始終滿足製程不斷提高的更多需求（例如：三維 NAND、EUV 圖案化和 FOWLP）。
