半導體 (Semiconductor)
複雜的圖案化方案、更高的寬高比、更小的導孔和通道、更脆弱的結構、以及越來越高的圖案塌陷風險,正在加速市場從塊材工程轉型至選擇性製程的趨勢。
選擇性製程使用特別設計的化學品與材料相互作用,以便精密、準確地沉積及去除目標材料。選擇性沉積是原子級的加法製造,僅將原子放在需要的地方。選擇性去除是原子級的減法製造,僅去除不需要的原子-即使是那些不在視線內的原子-且其餘原子也會保留在原位。選擇性蝕刻與沉積技術可用於建立並塑造微小的圖案;製造新穎的結構;並克服了技術障礙,例如濕製程導致的圖案塌陷、圖案化過程中的邊緣放置誤差、以及電晶體接點與導線電阻的相關 2D 微縮問題。