Centura^® Prime^® Epi

約二十年來，應用材料從領先業界的 Centura RP Epi 系統累積了磊晶方面的專業知識；Centura Prime Epi 保留了該系統的核心，同時改進了系統前身的設備可配置性和製程能力。全新單反應室配置可在減少 30% 佔地面積下提高設備正常運轉率和產能。在先進邏輯和記憶體元件中，基板形成、原位摻雜和提升 PMOS 和 NMOS 電晶體性能的製程等，都可在兩個系統之間互換。Centura Prime Epi 系統的製程組合是針對 3x nm 及以上的節點，其中包含用於邏輯中的 finFET 和 GAA的源極-汲極、通道和接觸點，以及記憶體、高電壓、類比和 MEMS 等各類應用。

Centura 平台上整合了專業預清潔技術，可在不破壞真空的情況下滿足廣泛的應用需求。對於 3x nm 節點以後的元件技術，氫烘烤步驟可能造成損害。而這些步驟的整合免除了 HF 浸泡和後續的高溫氫烘烤步驟。此外，與獨立系統比較，不但可以避免等候時間且可將介面污染減輕一個數量級以上。這些預清潔製程可以整合至不同的適當應用組合中。

Siconi^® 預清潔技術可提供低溫原生氧化層去除。Clarion^™ 是相對於低介電常數絕緣層有高選擇比的原生氧化層去除技術。Ajax^® 介面、自由基的預清潔技術可使磊晶-基板介面處的碳和氧減少了大約 10 倍，進而改善了晶膜生長並促成縮微。