Producer^® Selectra^® Etch

Producer Selectra Etch 系統推出前所未有的功能特性，透過進一步微縮三維邏輯和記憶體尺寸，來維持摩爾定律的動力。此製程可針對一個或多個薄膜的選擇比來除去特定材料。

在建立先進積體電路中，晶片線寬尺寸逐漸變小，深寬比變得更高，封裝也越來越密集。元件圖案化或清潔是否夠精密，將大大影響元件最後的可靠性和效能。選擇性不足所造成的材料去除不全和臨界線寬加大，對元件效能和良率有不利影響。高深寬比線寬的圖案變形 (線路彎曲和圖案損壞) 也可能影響下一代元件的良率。

Selectra 系統解決了所有這些問題。此系統獨特的製程能夠實現先進 FinFET 的原子級蝕刻控制、均勻一致的三維 NAND 凹槽和高深寬比 DRAM 結構的無損清潔。

該系統採用自由基化合物來提供可調選擇性，能夠以原子級精密度去除各種介電質、金屬和半導體薄膜。這項技術可擴展今日 FinFET 元件的運用範圍，並可促進未來環繞式閘極結構，是推動摩爾定律的關鍵因素。