Producer^® Selectra^® Etch

Producer Selectra Etch 시스템은 3D 로직 및 메모리 칩의 추가 미세화를 통해 무어의 법칙의 모멘텀을 유지하는 유례 없는 기능을 제공합니다. 이 공정은 하나 이상의 필름에 대한 뛰어난 선택비로 표적 물질을 제거할 수 있습니다.

차세대 집적 회로에서는 칩 설계의 형상이 더 작아지고 종횡비가 더 커지고 패킹 밀도가 더 높아지고 있습니다. 궁극적인 신뢰도와 성능을 위해서는 소자의 정확한 패터닝 또는 세정이 중요합니다. 불충분한 선택비로 인한 재료의 불완전한 제거 또는 임계 치수의 증가는 소자 성능과 수율에 결정적인 영향을 미칠 수 있습니다. 또한 고종횡비 형상의 패턴 변형(라인 굽힘, 패턴 붕괴)이 차세대 소자의 수율에 영향을 미칠 수 있습니다.

Selectra 시스템은 이러한 각각의 문제를 해결합니다. 이 고유한 공정은 차세대 FinFET에 대해 원자 수준의 식각 제어, 3차원 수직 구조 낸드에 대해 균일한 리세스, 고종횡비 DRAM 구조에 대해 무손상 세정을 구현합니다.

이 시스템은 래디컬 기반의 화학 반응을 사용해 원자 수준의 정확도로 다양한 유전체, 금속, 반도체 필름을 제거하기 위한 조절 가능한 선택비를 구현합니다. 이 기술은 오늘날의 FinFET 소자의 경계를 확장해서 무어의 법칙을 전진시키고 미래의 전면 게이트 구조를 구현하는 데 필수입니다.