PROVision 10 電子束量測

隨著半導體特徵尺寸持續微縮，裝置架構變得日益緊密複雜，製造流程涉及更多步驟，製程控制的限制也變得更加嚴格。現今最先進的晶片設計需要全新量測技術，超越光學目標近似、統計抽樣和單層控制。

PROVision™10 系統結合次奈米解析度、高速、穿層成像能力，搭載專屬的先進演算法，可產生數百萬筆所需資料點，精準地圖案化現今最先進的設計，包括 2 奈米晶圓代工邏輯晶片、環繞式閘極 (GAA) 電晶體、新一代DRAM與 HBM 記憶體，以及晶背供電。憑藉這些技術能力，PROVision™ 10能突破光學量測的盲點，在晶圓表面和晶片多層結構間精確測量，生成多維度資料集，以實現最佳晶片效能並加速產品上市時程。

PROVision 10 系統憑藉其創新技術功能，可提升良率、降低生產成本，並縮短上市時間。此系統採用業界領先的電子束技術，採用經實證的冷場發射 (CFE) 技術，具備最高電子密度，能以次奈米解析度精細成像，每小時進行高達 1 億次精準且可操作的測量。應材獨特的 Elluminator™ 技術可擷取 95%背向散射電子，同時快速量測多層次結構中的關鍵尺寸和邊緣位置。eBeam 能量範圍廣泛，包含用於快速量測的高能量模式 (數百奈米深)，以及用於易碎材料和結構 (包括 EUV 和高 NA EUV 光阻) 無損傷量測的低能量模式。應材憑藉數十年累積的CD-SEM與演算法專業技術，能精準量測關鍵特徵。