PROVision 4E 電子束量測系統

隨著先進半導體技術快速演進，元件架構持續微縮，圖案複雜度不斷提升，進而推動製程對於更嚴格的製程視窗，以及對圖案變異性和失效邊界缺陷更高靈敏度的需求。涵蓋物聯網、通訊、汽車、電源和感測器的 ICAPS 半導體市場，同樣面臨著類似的轉型，其驅動力來自於市場對高可靠度與專用化晶片的需求，而這些晶片必須在嚴格的製程控制下製造。

PROVision^™ 4E 系統提供一套以設計為核心的量測方法，專為製造環境中，對高取樣密度與結合圖形資訊之製程控制的需求所打造，適用於成熟製程節點，並可延伸至先進邏輯和記憶體。該系統能夠對圖形資訊敏感的關鍵熱點進行大規模取樣和特性分析，因應晶粒內（intra die）和晶粒間（die-to-die）變異性的挑戰。這些變異性在先進 FinFET 邏輯節點和新一代 DRAM 架構中日益關鍵。

PROVision 4E 運用以輪廓為基礎的圖形分析，產生數百萬個資料點，可針對製程均勻性和失效邊界缺陷提供細緻可做決策的洞察分析，進而加速良率提升、並且在 ICAPS 元件到先進邏輯和記憶體等廣泛技術節點中，改善可靠性。其高加速電壓結合高效率的背向散射電子與二次電子訊號收集能力，可在單一影像中同時完成關鍵尺寸與疊對量測，進而支援完整的邊緣放置誤差特性分析，並針對平面與 3D 元件架構進行快速、製程步驟對應的根本原因分析。

PROVision 4E 系統可協助製造商實現更嚴格的製程控制，加速研發到高量產轉換，並主動消除潛在的可靠度風險。PROVision 4E 是新一代熱場發射（Thermal Field Emission, TFE）電子束系統，專為大規模 SEM 量測與整合式邊緣位置誤差（Edge Placement Error, EPE）特性分析進行最佳化，能提供高取樣密度，並在廣泛應用中提供結合圖形資訊的洞察。在不需要次奈米解析度與更深穿透能力的應用情境下，PROVision 4E 以具成本效益的解決方案，與提供更高解析度與更深穿透能力的 PROVision 10 系統形成互補。