PROVision 4E 전자빔 계측

첨단 반도체 기술이 빠르게 진화하면서 디바이스 아키텍처는 더욱 미세해지고 패턴은 복잡해지고 있습니다. 이에 따라 공정을 관리할 수 있는 허용 범위는 좁아지고, 패턴 변동성과 마진 결함(marginal defectivity)에 대한 민감도 역시 한층 높아지고 있습니다. IoT, 통신, 자동차, 전력, 센서 등 ICAPS 반도체 분야 역시 이러한 변화를 겪고 있습니다. 특히 엄격한 공정 관리 아래에서 신뢰성과 특수 기능을 갖춘 칩에 대한 수요가 빠르게 증가하고 있습니다.

PROVision^™ 4E 시스템은 높은 샘플링 밀도와 레이아웃 인지 기반 공정 제어가 요구되는 제조 환경에 최적화된 디자인 기반 계측(metrology) 접근 방식을 제공합니다. 성숙 공정 노드부터 첨단 로직 및 메모리 기술에 이르기까지 폭넓게 적용이 가능합니다. 이 시스템은 공정에 민감한 주요 영역을 대규모로 측정하고 분석해, 다이 내부와 다이 간 변동성을 효과적으로 파악합니다. 이러한 기능은 첨단 FinFET 로직 공정과 차세대 DRAM 아키텍처에서 특히 중요합니다.

PROVision 4E는 레이아웃 기반 분석을 통해 방대한 데이터를 생성하고, 이를 바탕으로 공정 균일성과 마진 결함에 대한 구체적이고 활용 가능한 인사이트를 제공합니다. 이를 통해 수율을 빠르게 안정화하고, 다양한 기술 노드 전반에서 제품 신뢰성을 높일 수 있습니다. 또한 단일 이미지로 CD와 오버레이를 동시에 측정할 수 있어, 에지 배치 오차(edge placement error, EPE)를 보다 종합적으로 분석할 수 있으며 이를 통해 평면 구조와 3D 구조 모두에서 공정 단계별 문제 원인을 빠르게 파악할 수 있습니다.

PROVision 4E 시스템은 보다 정밀한 공정 제어를 가능하게 하고, 연구개발 단계에서 대량 양산으로의 전환을 앞당기며, 잠재적인 신뢰성 리스크를 사전에 줄이는 데 기여합니다.PROVision 4E는 대규모 SEM 계측과 통합형 에지 배치 오차 분석에 최적화된 차세대 열전계 방출(TFE) 전자빔(eBeam) 시스템으로, 다양한 공정과 애플리케이션에서 높은 샘플링 밀도와 레이아웃 기반 분석 역량을 제공합니다. 서브 나노미터 수준의 해상도나 더 깊은 침투 성능이 요구되지 않는 애플리케이션에서, 보다 비용 효율적인 솔루션으로서 고해상도와 깊은 침투 성능을 제공하는 PROVision 10 시스템을 보완합니다.