PROVision 4E 电子束量测仪

随着先进半导体技术的飞速发展，设备架构不断扩展，图案复杂性不断增加，因此需要更严格的工艺窗口，以及对图案变化和边际缺陷的更高敏感度。ICAPS 半导体细分市场（物联网、通信、汽车、功率和传感器）也面临类似的转型，其驱动力是对以严格工艺控制制造的可靠专有芯片的需求。

PROVision^™ 4E 系统提供了一种基于设计的量测方法，专为需要高采样密度和布局感知工艺控制的制造环境量身定制，涵盖成熟节点并延伸至先进逻辑和存储器技术。它能够对布局敏感热点进行大规模采样和特性分析，解决晶粒内和晶粒间的可变性问题，这在先进的 FinFET 逻辑节点和下一代 DRAM 架构中日益重要。

通过利用基于轮廓的版图分析和生成数百万个数据点，PROVision 4E 可提供有关工艺均匀性和边际缺陷率的精细、可行的洞察力，从而在从 ICAPS 器件到先进逻辑和存储器等广泛的技术节点上加速良率提升并提高可靠性。它的高加速电压与高效的背散射电子及二次电子信号收集相结合，可通过单个图像同时进行 CD 和叠加测量，从而有助于对平面和三维器件结构进行全面的边缘贴装误差鉴定和快速的特定步骤根本原因分析。

PROVision 4E 系统使制造商能够实现更严格的工艺控制、更快的 R&D 到大规模量产 (HVM) 的转变，并主动消除可靠性风险。PROVision 4E 是最新一代的热场发射 (TFE) 电子束系统，针对大规模 SEM 量测和一体化边缘贴装误差表征进行了优化，可在广泛的应用中提供高采样密度和布局感知洞察力。它与提供更高分辨率和更深层穿透能力的 PROVision 10 系统相辅相成，为那些不需要亚纳米级分辨率和更深层穿透能力的应用提供了一种经济高效的解决方案。