PROVision 4E eBeam計測

先端半導体技術が急速に変革を遂げるにつれ、デバイスアーキテクチャの規模拡大とパターン複雑化が進み、より厳しいプロセスウィンドウと、パターンばらつきや限界欠陥に対するより高い感度が求められるようになっている。IoT、通信、自動車、電力、センサーといったICAPS半導体分野も、厳格なプロセス管理のもとで製造された信頼性の高い特殊チップへの需要に牽引され、同様の変革に直面している。

PROVision^™ 4Eシステムは、高いサンプリング密度とレイアウトを考慮したプロセス制御を必要とする製造環境向けに最適化された、設計ベースの計測アプローチを提供します。成熟したノードから、高度なロジックおよびメモリ技術までを網羅しています。これにより、レイアウトに敏感なホットスポットの大規模なサンプリングと特性評価が可能になり、高度なFinFETロジックノードや次世代DRAMアーキテクチャにおいてますます重要になっている、ダイ内およびダイ間のばらつきの両方に対処できます。

PROVision 4Eは、輪郭ベースのレイアウト解析を活用し、数百万ものデータポイントを生成することで、プロセス均一性と限界欠陥率に関する詳細かつ実用的な洞察を提供し、ICAPSデバイスから高度なロジックやメモリまで、幅広いテクノロジーノードにおいて歩留まりの向上と信頼性の向上を実現します。その高い加速電圧と効率的な後方散乱電子および二次電子信号の収集を組み合わせることで、単一画像からCDとオーバーレイの同時測定が可能になり、平面および3Dデバイスアーキテクチャの両方において、包括的なエッジ配置エラーの特性評価と、迅速かつ段階的な根本原因分析を容易にします。

PROVision 4Eシステムは、製造業者がより厳密なプロセス制御、研究開発から大量生産 (HVM）への移行の迅速化、そして信頼性リスクの事前排除を実現できるよう支援します。PROVision 4Eは、最新世代の熱電界放出（TFE）電子ビームシステムであり、大規模なSEM計測とオールインワンのエッジ配置誤差特性評価に最適化されており、幅広いアプリケーションにおいて高いサンプリング密度とレイアウトを考慮した洞察を提供します。これは、より高い解像度とより深い浸透能力を提供するPROVision 10システムを補完するものであり、サブナノメートル解像度やより深い浸透が要求されない場合に費用対効果の高いソリューションを提供する。