Producer Selectra 鉬蝕刻系統

隨著 3D NAND架構朝更高層數持續微縮，新的金屬整合製程，例如鉬（Mo）字線分離，正將傳統圖案化技術推向極限。不斷增加的深寬比和受限的幾何結構，使得濕式蝕刻製程難以達成上下均勻的材料移除，進而導致製程變異、負載效應並影響元件效能。為了持續推進製程微縮，製造商亟需具備高選擇性且可精準控制的蝕刻技術，在複雜結構深處精確移除目標金屬，同時保護周圍材料完整性。

Producer^® Selectra^® 鉬蝕刻系統提供全新的選擇性金屬去除能力，能在先進 3D NAND 元件中實現精準且均勻的鉬字線分離。Selectra 鉬蝕刻系統專為克服濕式蝕刻的限制而設計，透過精密製程控制與先進氣體輸送技術，在高深寬比結構中實現優異的上下負載均勻性，與精準的輪廓控制。此選擇性乾式蝕刻技術可提升整片晶圓的均勻性與製程重複性，同時滿足下一代記憶體技術節點微縮的關鍵需求。該系統已通過量產驗證，為選擇性金屬蝕刻效能樹立全新標竿，推動製程從傳統濕式技術轉型。

Selectra 鉬蝕刻系統建立於應用材料公司 Selectra 極高選擇性蝕刻技術基礎之上，進一步強化公司在 Producer^® 平台選擇性製程領域的領導地位。這項先進的選擇性金屬蝕刻能力將 Selectra 產品組合的應用範圍從介電材料與矽材料擴展至先進金屬整合領域，為 NAND、DRAM 與邏輯元件開啟新的發展機會。Selectra 鉬蝕刻系統作為應材材料工程生態系的一環，可與選擇性沉積、蝕刻及整合式解決方案相輔相成，協助客戶解決先進記憶體與邏輯元件中最複雜的圖案化與材料工程挑戰。