Producer Selectra Mo Etch

3D NANDアーキテクチャの積層数が増え続ける中、ワードラインのモリブデン（Mo）分離など、新たな金属集積技術は従来のパターニング手法の限界を超えつつあります。アスペクト比の増大や構造上の制約により、ウェットエッチングプロセスでは、構造の上部から下部まで均一に材料を除去することが難しくなり、ばらつきやローディング効果、デバイス性能の低下につながる可能性があります。さらなるスケーリングを実現するには、複雑な構造の奥深くにある対象金属を正確に除去しながら、周囲の材料を保護できる、高選択性で制御性に優れたエッチング技術が求められています。

Producer^® Selectra^® Mo Etchシステムは、選択的な金属除去に対応する新たな機能を備え、先進的な3D NANDデバイスにおいて、Moワードライン同士を電気的に分離する工程を高精度かつ均一に実現します。ウェットエッチングの限界を克服するために設計されたSelectra Mo Etchは、高度なプロセス制御と先進的なガス供給技術により、高アスペクト比パターンにおいて優れた上下方向のエッチング均一性（ローディング性能）と厳密なプロファイル制御を実現します。この選択的ドライエッチング手法により、ウェーハ全体での均一性と再現性が向上し、次世代メモリノードに求められる重要なスケーリング要件にも対応できます。また、このシステムは量産環境で実証済みであり、選択的金属エッチング性能の新たな基準を示すとともに、従来のウェットプロセスからの移行を可能にします。

Selectra Mo Etchは、アプライドのProducer^®プラットフォームにおける選択的プロセス技術のリーダーシップをさらに強化するソリューションです。極めて高い選択性を実現する当社の基盤技術であるSelectraテクノロジーをベースに、選択的金属エッチングという新たな領域へ適用範囲を広げています。この高度な選択的金属エッチング技術により、Selectraの製品ポートフォリオは誘電体およびシリコン用途にとどまらず、NAND、 DRAM 、ロジックデバイスにおける高度な金属集積にも新たな可能性をもたらします。アプライドの幅広い材料工学エコシステムの一環として、Selectra Mo Etchは選択的成膜、エッチング、統合ソリューションを補完し、先進的なメモリおよびロジックデバイスにおける複雑なパターニングと材料課題の解決を支援します。