Producer^® Precision^® APF^® PECVD

應材 Producer Precision (APF) PECVD 系統可為關鍵的圖案化步驟提供一系列可剝除非晶系碳硬質罩層。

幾乎每個先進 DRAM、NAND 快閃記憶體和邏輯製造廠都會採用本系統；這是針對圖案化製程的需求所出產業界第一款商用 PECVD 可灰化的非晶系碳薄膜系統。業界領先的 APF 是多重圖案化整合的其中一種應用薄膜，用於擴展標準 ArF 微影技術，使其超越物理限制和圖案化高深寬比 (HAR) 特性。隨著應用的激增，APF 已經從單一薄膜發展成為一系列專用薄膜。

Stensar^™ APF 是該系列新增產品，也使這類先進硬質罩層發展至最尖端技術。APF 系列的其他產品針對物聯網、通訊、汽車、電源和感應器 (ICAPS) 市場提供各類專業應用。

Stensar
低應力 Stensar APF 符合 2nm 邏輯的硬質罩層嚴苛要求，尤其是超低缺陷率。比旋塗薄膜更具選擇性，其低沉積速率有助於降低整體堆疊厚度，進而降低線條邊緣粗糙度(LER)和線寬粗糙度，這都是 2nm 節點上面臨的圖案化重大挑戰。Stensar 實現全系列的 SADP/SAQP 和 EUVL 圖案，以及處於半導體技術前沿的 HAR 線寬蝕刻應用。表面工程有助於在這些具有挑戰性的製程中實現無縫整合。

減少薄膜脫氣可維持更乾淨的反應室環境，以延長正常運行時間，進而延長平均清潔間隔時間。Producer Precision 系統可以調整硬質罩層的刻蝕選擇性，並保持出色的製程性能。

Saphira^™
APF 是一種透明、高選擇比、低應力的硬質罩層，可持續進行線寬微縮；其簡單的整合及簡化的流程降低了圖案化的製程複雜性。

APFe
建立在 APF 蝕刻選擇性和 LER 的絕佳特性上，APFe 能產生比 APF 更厚層的沉積層 (例如在記憶體裝置的電容器構成物和金屬觸點中），同時維持蝕刻 HAR 導孔所需的對位透明度。

APF^®
被廣泛用作微細線寬和高深寬比 (HAR) 結構的圖案化薄膜，與傳統的光阻 (PR)相比，APF 具有卓越的刻蝕選擇性和更低的邊緣粗糙度 (LER)。由於具備傳統光阻劑的可灰化特性，可以很容易地將 APF 整合入製程中。無論是單獨使用或與應用材料公司的 DARC 薄膜(介電質抗反射鍍膜) 合用，這符合成本效益且具備微影功能的薄膜可為多晶矽、氮化矽和氧化矽提供高蝕刻選擇比、極佳的臨界線寬控制(CD control)和更低的邊緣粗糙度 (LER)。