Producer^® Precision^® APF^® PECVD

应用材料公司的 Producer Precision APF PECVD 系统能够为关键图形化工序生成一系列可剥除的无定形碳硬掩膜。

该系统是业界第一个商用 PECVD 沉积可灰化无定形碳薄膜图形化系统，全球几乎每一座先进的 DRAM、NAND 闪存和逻辑器件制造工厂都配备有该系统。业内领先的 APF 是实现多重图形化集成方案的一种薄膜，可突破标准 ArF 光刻的物理极限进行微缩；并可以实现高深宽比 (HAR) 特征的图形化。随着 APF 应用的激增，APF 已从最初的单一薄膜发展成为一系列的专用薄膜。

Stensar^™ APF 是该系列薄膜家族的最新成员，它将这些先进的硬掩模薄膜扩展应用于最前沿的技术。还有一些 APF 系列薄膜专用于物联网、通信、汽车、电源和传感器 (ICAPS) 市场。

Stensar
低应力 Stensar APF 可满足制造 2纳米逻辑器件对硬掩模的极端严苛要求（特别是针对超低缺陷率）。它比旋涂膜有更优良的选择比，沉积速率低，有助于降低整体叠层厚度，从而减少线条边缘粗糙度 (LER) 和线宽粗糙度，二者都是 2纳米节点图形化所面临的重大挑战。Stensar 支持全系列的 SADP / SAQP和EUVL 方案，以及处于半导体技术前沿的 HAR 特征蚀刻应用。表面工艺则可实现这些挑战性工艺制程的无缝集成。

减少薄膜除气过程，可以保持更清洁的腔室环境，从而延长正常运行时间，增加清洁间隔平均时间。Producer Precision 系统可以调整硬掩模的刻蚀选择比，从而保持出色的工艺性能。

Saphira^™
Saphira APF 是一种高选择比、低应力的透明硬掩膜，从而支持实现进一步的特征微缩。它便于集成，工艺简洁，可减少图形化复杂度。

APFe
APFe 在 APF 出色的刻蚀选择比和 LER 的基础上，比 APF 能沉积更厚的层（如用于存储器件的电容构造和金属接触孔），同时还能保持刻蚀高深宽比 (HAR) 通孔所需的对准透明度。

APF^®
APF 广泛用作小特征尺寸和高深宽比 (HAR) 结构的图形层，与传统光刻胶 (PR) 相比，具有极佳的刻蚀选择比，线条边缘粗糙度 (LER) 更低。它具有类似传统光刻胶的可灰化性，能快速集成到工艺流程中。无论是单独使用，还是与应用材料公司的 DARC（抗反射电介质涂层）工艺一起使用，这种经济高效的光刻薄膜可提供多晶硅、氮化物和氧化物高刻蚀选择比，具有出色的 CD 控制和更低的 LER。