Endura^® Ioniq^™ W PVD

​​集積回路​​とそのコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、金属​ ​層間配線​​とコンポーネント間の​​コンタクト​​も縮小しています。結果として、これらの接続における​​抵抗​​が増大しています。

この高い抵抗が引き起こす遅延効果は、通常、抵抗-​​容量​ 遅延（RC遅延）と呼ばれ、速度を低下させ、消費電力を増やすことによりチップ性能に影響を及ぼします。よりコンパクトでより高速な電子デバイスを実現するには、これらの接続抵抗は最低限に抑え、持続可能なスケーリングを可能にしなければなりません。

高真空プラットフォームでの​ ​化学気相成長（CVD)​チャンバーと前処理チャンバとを組み合わせた先駆的な製造において、新しいアプライド マテリアルズの Endura Ioniq物理気相成長（PVD）装置は、純タングステン（W）のメタライゼーションを様々なコンタクト用途で可能にするIntegrated Materials Solution™です。この装置は、高抵抗な窒化チタンライナー、タングステン核形成層、そしてバルクタングステン膜のマルチツールコンビネーションを、バルク化学気相成長（CVD）タングステンフィルと統合した単一物理気相成長（PVD）タングステン層で置き換えます。Ioniq物理気相成長（PVD）チャンバ内での強化されたイオン化と方向性フラックス制御が、低抵抗バリアおよびライナー膜として機能する純タングステン膜の優れた均一なステップカバレージを実現します。連続的な高真空環境が、膜の完全性を維持し、金属界面の純度と電気伝導性をさらに高めます。

スケーリングイネーブラーとしてのアプライド マテリアルズEndura Ioniq物理気相成長（PVD）装置は、5nm未満のロジック半導体用途での重要なコンタクトでのタングステンの使用を拡大するとともに、DRAMやNANDデバイスでの低抵抗接続のメタライゼーションへユニークなアプローチも提供します。