Endura^® Ioniq^™ W PVD

随着集成电路及其组件不断微缩，组件之间的金属互联线和导线的尺寸也在缩小。由此带来的一个结果是，这些互连结构的电阻越来越高。

这种高电阻会造成慢化效应，通常称为阻容延迟（或 RC 延迟），它会降低传导速度，增加功耗，从而影响芯片性能。为了制造结构更紧凑、速度更快的电子器件，必须最大限度降低这些连接结构的电阻，使其能进一步微缩。

应用材料公司新推出的 Endura Ioniq PVD 系统是一种 Integrated Materials Solution^™（集成材料解决方案），它在一个高度真空的平台上将先进的制造工艺与 CVD 技术和预处理腔室相结合，可在各种导线应用中实现纯钨（W）材料金属化。它取代了需要多台设备来完成的、具有高电阻的单一的氮化钛衬底、钨成核层和大块钨填充物，代而采用融合 CVD 大块钨填充物的单一 PVD 钨层。Ioniq PVD 腔室增强的电离功能和定向流量控制打造出极佳的均匀阶梯式覆盖纯钨膜，用作低电阻的阻隔层和衬垫层。持续的高真空环境可保持薄膜的完整性，进一步提高了金属界面的纯度和电导率。

应用材料公司的 Endura Ioniq PVD 系统将钨（W）在逻辑应用中的关键导线处的使用扩展到了 5 纳米以下，同时也为 DRAM 和 NAND 器件的低电阻连接提供了一种独特的金属化方法，有助于进一步推进器件微缩。