Endura Trillium 原子層沉積系統

隨著鰭式場效電晶體（FinFET）和環繞式閘極（Gate-all-around, GAA） 等 3D 電晶體架構發展，晶片製造商亟需全新製造方式，才能沉積具備優異共形性和原子級厚度控制的超薄薄膜。即使僅有一層原子厚度的差異，也可能導致元件效能下降，因而推動對精準原子層沉積（ALD）解決方案的需求。

Trillium^™ 原子層沉積系統建構於應用材料公司的Endura^™ 平台之上，能在高深寬比結構中沉積原子層級薄膜，確保厚度與組成高度均勻，協助晶片製造商以前所未有的精準度，打造最先進且關鍵的材料層。透過 Endura 平台，Trillium 可與多項清洗與材料處理技術整合，進一步提升元件效能和製程良率。

Trillium 是一款高度靈活的沉積系統，可支援廣泛的薄膜種類和應用。其可以沉積多種材料，涵蓋高介電常數金屬閘極功函數金屬、偶極層（dipole layers），到各類襯層和覆蓋層薄膜。憑藉其廣泛的能力，Trillium 原子層沉積系統成為 FinFET 和環繞式閘極晶片的核心沉積技術，並具備延伸至未來互補式場效電晶體（CFET）架構的可行性。