Endura Trillium (엔듀라 트릴리움) ALD

FinFET (핀펫) 과 GAA (게이트올어라운드) 등 3D 트랜지스터 아키텍처의 등장으로 칩 제조사에는 우수한 컨포멀리티(conformality)와 원자 수준의 두께 제어로 초박막을 형성하는 새로운 방식이 요구되고 있습니다. 원자 한 층 수준의 차이만으로도 소자 성능이 저하될 수 있어 정밀한 ALD (Atomic Layer Deposition, 원자층 증착) 솔루션의 필요성이 높아지고 있습니다.

어플라이드의 Endura^™ (엔듀라) 플랫폼 기반으로 구축된 Trillium^™ (트릴리움) ALD는 고종횡비 구조 전반에 걸쳐 두께와 조성이 균일한 원자 수준의 박막을 증착해 칩 제조사가 전례 없는 정밀도로 가장 첨단의 핵심 소재층을 구현할 수 있도록 지원합니다. Endura 플랫폼에서 Trillium은 다양한 클린 및 처리 기술과 통합될 수 있고, 이를 통해 소자 성능과 수율을 더 향상시킬 수 있습니다.

Trillium ALD는 광범위한 박막과 애플리케이션을 지원하는 범용성 높은 증착 시스템입니다. HKMG (High-K Metal Gate) 워크펑션 (work function) 금속 및 다이폴 층부터 라이너 및 캡핑 박막에 이르기까지 다양한 소재를 증착할 수 있습니다. 이러한 폭넓은 역량을 바탕으로 Trillium ALD는 FinFET 및 GAA 칩의 핵심 증착 기술로 자리매김하고 있으며, 향후 CFET (Complementary FET) 아키텍처로 적용 범위를 확장할 수 있습니다.