Endura Trillium ALD

FinFETやGate-All-Around（GAA）といった３Dトランジスタ アーキテクチャの登場に伴い、チップメーカーには、優れたコンフォーマリティと原子レベルの膜厚制御を備えた超薄膜を製造する新たな手法が求められています。原子層がわずか1層分変動するだけでもデバイス性能を低下させ得るため、高精度なALD (原子層堆積）ソリューションの必要性が高まっています。

アプライドのEndura^™プラットフォームを基盤とするTrillium^™ ALDは、高アスペクト比構造に沿って、膜厚・組成が均一な原子レベルの薄膜を堆積します。これにより半導体メーカーは、最先端かつ重要な材料層を、これまでにない精度で形成できます。Endura上では、Trilliumを各種の洗浄および処理技術と統合でき、デバイス性能と歩留まりのさらなる向上に貢献します。

Trillium ALDは、幅広い膜種と用途に対応する高い汎用性を備えた成膜装置です。High-kメタルゲートのワークファンクション金属やディポール層から、ライナー膜、キャップ膜まで、多様な材料を堆積できます。この幅広い対応力により、Trillium ALDはFinFETおよびGAAチップにおける中核的な成膜技術となり、将来のコンプリメンタリFETアーキテクチャへも拡張可能です。