VIISta^® PLAD

Varian VIISta PLAD™ 電漿式、超高劑量植入技術可提供經生產驗證的方法，採用低能量製程，能在不干擾敏感電路特點之下為完整晶圓表面快速植入高濃度摻雜物。

此系統的劑量保留率和均勻度領先業界，且具備以下好處的重要特性：

• 高密度、低能耗電漿可促進高生產力，而不會腐蝕或損及基板
• 先進 RF 技術有助進行獨特的沉積控制
• 脈衝直流偏壓可提供準確的能量、深度以及劑量控制，且製程容許範圍很寬
• 可變負載因子可提高製程彈性
• 閉迴路法拉第 (faraday) 可將原位同步劑量控制的量產風險降至最低

VIISta PLAD™ 技術安裝在其他 Varian 植入系統通用的 VIISta 平台。這類通用性有助縮短第一次矽晶的時間，且可促進所有應用的生產力。