VIISta^®PLAD

Varian VIISta PLAD™プラズマベース、超高ドーズ注入テクノロジーは、製造現場で実績のある、デリケートな回路の機能に影響を与えない、低エネルギーのプロセスを使用して、ウェーハ表面全体に高濃度ドーパントの急速注入を行います。

同システムは業界をリードするドーズの保持と均一性を提供し、次のメリットを提供します。

• 高密度の低エネルギープラズマで、基板のエッチングやダメージのない高い生産性を実現
• 先進のRF技術により、独自の成膜制御が容易に
• パルスDCバイアスにより、幅広いプロセスウィンドウにわたって正確なエネルギー、深度、ドーズ制御を提供
• 可変式デューティ比により、プロセスの柔軟性を強化
• 閉ループファラデーがin-situドーズ制御に伴う大量生産のリスクを最小化

VIISta PLAD™テクノロジーは、他のVarian注入システムと共通のVIIStaプラットフォームに導入されています。この共通性が、最初のシリコン製造までの時間短縮と、すべてのアプリケーションにおよぶ生産性の向上を支援します。