Sym3 Z Magnum 蝕刻系統

隨著 AI 與高效能運算推動元件架構朝向 環繞式閘極（GAA），並進一步邁向互補式場效電晶體（CFET）設計，先進邏輯的效能表現逐漸取決於源極與汲極空腔成形的精準度。這些空腔必須具備筆直的側壁、均勻的尺寸，以及平坦的矩形底部，才能支援無空隙磊晶成長，並最大化奈米片與磊晶層之間的接觸。空腔輪廓或深度的微小偏差，即可能干擾晶磊成長並降低驅動電流，因此空腔蝕刻成為 GAA 製程中最為敏感、同時也是對效能影響最關鍵的步驟之一。

Sym3^™ Z Magnum^™ 蝕刻系統透過其先進的電漿架構，搭配第二代脈衝電壓技術（Pulsed Voltage Technology, PVT2）以及獨立的射頻（RF） 偏壓控制，能直接應對這些製程微縮挑戰。藉由在晶圓近端產生電漿，並提供高度可控的離子能量，Sym3 Z Magnum得以達成業界領先的側壁垂直度、底部形貌控制以及矽（Si）/ 矽鍺（SiGe） 選擇性。這些能力可形成均勻、底部呈矩形的源極 / 汲極空腔，並將特徵間的深度變異降至最低，提升奈米片的一致性，支援先進節點電晶體的效能表現。Sym3 Z 系列已被多家主要晶圓代工、邏輯和記憶體客戶廣泛採用，應用於關鍵的空腔蝕刻製程。

隨著電晶體架構朝更緊密的線距、更深的空腔，以及更高度 3D 整合的元件結構發展，對蝕刻精準度和輪廓控制的要求也將持續提升。Sym3 Z Magnum 系統以未來需求為設計核心，其架構可橫跨 GAA、CFET 及先進記憶體應用。承襲 Sym3 系列既有的成功基礎，作為 應材歷來成長速度最快的產品線，Sym3 Z Magnum 提供關鍵的效能基礎，支援邏輯技術持續延伸至下一世代。