Centura^® Silvia^® Etch

TSV 為產品設計師提供了全新且極節省空間的自由度；這項技術不僅能整合不同節點的電路元件，而且能使功能與性能遠超過打線接合和覆晶 3D 配置所能達成的功能與性能。

現在的元件製造商運用著 不同的配置來整合晶片，以便達到最佳的功能體積比。 TSV 技術可通過建立垂直路徑來達到 3D 導電層連接；這些路徑可作為積體電路元件來連接堆疊式晶片或晶圓。

The Applied Centura Silvia Etch 系統專為充滿挑戰的矽晶深蝕刻而設計；矽晶深蝕刻是在晶片或晶圓之間建立垂直連接所需的技術。傳統方法需要在側壁輪廓控制與高蝕刻率之間做出取捨，只有 TSV 蝕刻系統能夠克服這個問題。 該系統的高密度電漿源可在所有晶圓級的封裝應用中達到最高的矽晶和氧化層蝕刻率。

應用材料公司是矽晶深蝕刻和 TSV 生產技術領域的領先創新者和市場領導者；Silvia 運用了該公司在這些領域的長期經驗，達到 3D 導電層連接之蝕刻應用所需的最佳蝕刻性能。由於蝕刻製程約占 TSV 製造工序的 15%，所以 Silvia 生產能力提高可大幅削減擁有成本，同時其無耗材製程套件具備的 CoC 優勢，可大大幫助客戶縮減採用 TSV 技術的整體成本。