Centura^® Silvia^® エッチング装置

高度なスペース効率と斬新な設計自由度を提供するTSV技術を活用することによって、製品設計者はさまざまなノードの回路部品を組み込むことができ、ワイヤボンディングおよびフリップチップによる3D実装スキームをはるかに凌ぐ機能と性能の向上を実現できます。

機能性対生産量比率の最大化を促進する中で、装置メーカーは3次元（3D）スキームを使用してチップの組み込みを行っています。Si貫通ビア (TSV) 技術は、重ねられたチップまたはウェーハを繋ぐ集積回路のコンポーネントとして機能する垂直経路を構築することにより、3D 配線を可能にします。Applied Centura Silviaエッチング装置は、チップまたはウェーハ間への垂直経路の形成が要件となる、アスペクト比の高い難関の深堀りシリコンエッチング用に特別に設計されています。従来の方法では解決できなかったプロファイル制御と高いエッチング率の両立という問題を克服できるのは、TSVエッチング装置だけです。このシステム独自の高密度プラズマ光源が、すべてのウェーハレベル パッケージング アプリケーションに対して、シリコンおよび酸化膜のエッチング率を最大化します。

Silviaは、深堀りシリコンエッチングおよびTSV生産における専門性において、先進イノベーターかつ市場リーダーとしてのアプライド マテリアルズの長年の経験を活用し、3D配線エッチング アプリケーションに必要なエッチング能力を最適化します。エッチングプロセスはTSV製造工程の約15％を占めているため、Silviaのスループットと、消耗品不要のプロセスキットがもたらすCoCの優位性から得られるCOO（Cost of Ownership）の大幅な削減は、TSV技術を実装するお客様の総コストの削減に大きく貢献します。