加快产品上市并最大限度提高良率

缺陷控制

缺陷控制涉及在晶圆制造工艺的关键工序中对晶圆进行监测，以便在不影响晶圆厂良率和生产力的情况下及早识别并实时解决工艺偏差问题。

常见缺陷包括颗粒、残留物、刮伤、重叠和短路。

在研发的早期阶段，器件制造厂家需要对其工艺进行特征刻画，并重点关注在晶圆和倍缩光掩模上发现的微小的限制良率的工艺或集成缺陷。在这一阶段，要发现表面/埋藏的微小缺陷，高灵敏度至关重要，这推动了高灵敏度电子束（eBeam）检测解决方案的采用，它可对相关关键区域进行成像。

在产能攀升和大规模量产阶段，晶圆厂需要严格控制任何偏差缺陷。随着器件架构复杂性的增加和工艺窗口的不断缩小，缺陷类型和尺寸的多样性也显著增加，从而形成了平衡灵敏度、速度和成本的“混合匹配”采样策略。