ECD

製造半導體元件時，若要置入大量銅線，ECD (電化學沉積) 是個快速且符合成本效益的方法。銅線是用來形成電路的導線。若要讓電路正常運作，最重要就是以金屬完全填滿這類佈線的特徵 (導孔和溝槽)，使其無縫隙或孔洞，因為這些可能會危及電性可靠性和功能性。

ECD (電氣化學沉積) 是先進封裝的關鍵製程，可應用於 覆晶、扇出、扇入和混合鍵合等技術。先進封裝包括2.5/3D、球格陣列、晶片級封裝和晶圓級封裝，ECD (電化學沉積)。雖然銅是最常見的電鍍金屬，但 ECD (電化學沉積) 也可以讓金、鎳、銀和錫沉積。ECD 甚至還可以形成多個連接結構，包括凸塊、柱狀物、RDL（細線重布線路層）、TSV （矽穿孔）和焊墊。

應用材料技術可達到由下而上填充和側壁抑制的平衡要求，能在小於 20 奈米且深寬比大於 5:1 的產品中產生完美無縫的填充。 由於元件密度增加，動態製程控制可促使晶圓產生均勻的沉積，並進而達到更高元件良率。