Nokota VMax 2 電化學沉積系統

隨著高頻寬記憶體（HBM）、凸塊、重佈線層（RDL）、大型銅柱及矽穿孔（TSV）等先進封裝技術快速發展，封裝製造商正面臨更高的效能與產能需求，同時還必須兼顧良率、設備可用率及整體營運成本。隨著元件架構日益複雜且晶圓持續薄化，電鍍製程需因應更嚴格共面度規範、更高產能、多金屬整合、缺陷控制、廠房空間限制等挑戰，同時保有支援多元產品組合的製程彈性。

新一代 Nokota^™ VMax™ 2 電化學沉積系統擴展應用材料公司於電化學沉積領域領導地位；它是一款高生產力電鍍系統，可協助客戶克服上述製程挑戰。其 20 腔體架構結合 SafeSeal^™ 單次接觸式晶圓傳送技術與 VMax™ 腔體技術，可協助客戶提高敏感晶圓良率、強化設備可用率並提高整體產能，滿足多金屬整合及大規模量產需求。在產能、設備可用率及整體擁有成本方面，Nokota VMax 2 展現顯著優勢，可協助客戶以以更高效率大規模量產先進封裝結構。

在應材產品組合中，Nokota VMax 2 以經市場驗證的 Nokota™ 平台為基礎，進一步提升生產力、維護便利性及應用擴展性，可支援更廣泛的先進封裝製程應用需求。該系統可與應材完整的電化學沉積產品組合相互搭配，涵蓋凸塊、扇出型封裝、矽穿孔及異質整合等應用，並可隨著封裝技術演進提供客戶靈活的設備配置與擴充能力。隨著次世代封裝架構持續演進，Nokota VMax 2 憑藉其擴展製程能力及可擴充平台基礎，為客戶提供因應未來技術節點與封裝架構發展所需的彈性。