應材Producer Avila 2 PECVD 系統

在先進封裝領域中，矽穿孔（TSVs）是實現 2.5D 中介層與多種 3D 整合架構的關鍵技術。隨著記憶體製造商在高頻寬記憶體（HBM）元件中堆疊更多 DRAM 晶粒，矽穿孔提供必要的垂直互連結構，以實現更高頻寬及效能、和更低功耗。然而，隨著 HBM堆疊層數持續增加，超薄晶圓、複雜薄膜結構及高密度矽穿孔設計，進一步提高矽穿孔露出製程中在晶圓翹曲控制、應力演變及熱預算控制方面的難度。過大的晶圓弓形變形或不均勻翹曲，可能使製程視窗（即容錯率）縮小，進而導致良率下降。

應材 Producer^™ Avila^™ 2 是新一代電漿輔助化學氣相沉積系統（PECVD），專為矽穿孔露出製程打造，透過先進熱管理技術與晶圓翹曲控制能力，協助客戶克服上述製程挑戰。該系統可在低於 200°C 條件下提供高度均勻的溫度分布，協助客戶滿足先進封裝製程中嚴格的熱預算要求，同時維持優異的製程效能。Avila 2 的關鍵優勢之一，在於其更高的晶圓弓形變形補償能力，可實現更緊密且均勻的晶片翹曲分布控制。此能力可進一步提升製程控制精度與產品良率，並支援日益複雜的先進封裝整合架構。此外，Avila 2 不僅可提升生產力，亦支援矽與玻璃等多種晶圓支撐基板。

在應用材料公司的先進封裝產品組合中，Avila 2 可搭配 Insepra^™ 系統應用於混合鍵合製程，提供細間距銅鍵合所需的介電薄膜。這些系統共同協助客戶推進下一代 HBM 與 3D 整合技術，提供更先進元件架構所需的薄膜性能、熱控制能力及製程技術。