Centris Spectral 氮化矽原子層沉積系統

隨著半導體元件持續微縮，製造商在複雜 3D 結構中沉積高品質介電氮化矽 (SiN）薄膜時，須同時受限於嚴格的熱預算，整體難度不斷提高。傳統電漿沉積技術難以在日益狹窄的高深寬比結構內均勻形成高緻密度薄膜，同時滿足先進元件的熱製程限制。若薄膜品質不佳，將難以經受後續蝕刻及後處理等整合製程步驟，進而影響元件整體性能表現。

Centris^™ Spectral^™ 氮化矽原子層沉積（SiN ALD）系統結合 Nimbus^™ 直接式高密度微波電漿技術與空間式原子層沉積架構，有效克服上述製程挑戰。透過此技術，可在較低溫度下沉積高品質氮化矽薄膜，同時在高深寬比結構中維持優異的均勻覆蓋能力。低離子能量與最佳化自由基通量傳輸，亦有助於降低電漿所造成的損傷。最終實現兼具優異蝕刻耐受性與電性表現的超薄薄膜，在推進晶片微縮的同時，仍能維持可靠度。此外，該系統採用多基座高產能架構，可有效克服傳統單晶圓原子層沉積系統的產能限制，為先進製程節點提供兼顧效能、可靠度與成本效益的最佳平衡。

在應用材料公司的 Centris™ Spectral™ 原子層沉積產品系列中， Spectral 氮化矽原子層沉積系統透過消除傳統電漿增強沉積解決方案中，電漿密度與離子誘發薄膜損傷之間的相互取捨限制，實現介電層原子層沉積製程能力，為客戶在製程整合上提供更高的靈活性與控制能力。它可與應材既有的介電層沉積技術形成互補，為先進邏輯與記憶體應用中的關鍵氮化矽薄膜，在低溫條件下開啟全新的製程範疇。隨著元件架構持續演進，Centris Spectral 氮化矽原子層沉積系統提供可擴展的平台，支援持續創新與未來 3D 整合技術需求，滿足產業對更高良率、可靠性及製造效率的要求。