Centris Spectral SiN ALD

半導体デバイスの微細化が進む中、チップメーカーは複雑な3D構造内に高品質な誘電体窒化ケイ素（SiN）膜を成膜しながら、厳しい熱制約にも対応する必要があります。従来のプラズマ蒸着法では、先進デバイスに求められる狭く高アスペクト比の構造や低温プロセスにおいて、均一で高密度な膜を形成することが困難となっています。膜品質が十分でない場合、エッチングや後処理などの後工程に耐えられず、デバイス性能の低下につながる可能性があります。

Centris^™ Spectral^™ SiN ALDは、直接高密度マイクロ波プラズマ技術であるNimbus^™と、独自の空間ALDアーキテクチャを組み合わせ、こうした課題を解決するために開発されました。このアプローチにより、高アスペクト比構造でも優れたコンフォーマル性を維持しながら、より低温で高品質な窒化ケイ素膜を成膜できます。また、イオンエネルギーを低く抑え、ラジカルフラックスの供給を最適化することで、プラズマによる損傷を最小限に抑えます。その結果、エッチング耐性と電気的性能に優れた超薄膜アプリケーションを実現し、信頼性を損なうことなく、さらなる微細化を可能にします。さらに、マルチペデスタル型の高スループットアーキテクチャにより、従来のシングルウェーハALDシステムにおける生産性の制約を克服し、先端ノード製造に求められる性能、信頼性、コスト効率のバランスを提供します。

Applied Materials Centris Spectral ALD製品群の一つであるSpectral SiN ALDは、従来のプラズマ強化成膜ソリューションで課題となっていた、プラズマ密度とイオン起因の膜損傷のトレードオフを低減します。これにより、誘電体ALDプロセスにおける柔軟性と制御性を高め、お客様のプロセス統合を支援します。また、アプライド マテリアルズの既存の誘電体成膜技術を補完し、低温プロセスが要求される先端ロジックおよびメモリデバイス向けに、新たなSiN成膜ソリューションを提供します。デバイスアーキテクチャが進化し続ける中、Centris Spectral SiN ALDは、継続的なイノベーションを支える拡張性の高いプラットフォームとして、3D統合における将来の要件に対応するとともに、歩留まり、信頼性、製造効率の向上という業界のニーズに応えます。