半導體 (Semiconductor)
在32/28 奈米及以下節點,尖峰退火 (spike anneal) 的主要挑戰在於如何最小化晶片中由於輻射能量吸收變動所造成的溫差。此現象稱為圖案負載效應 (PLE)。Vulcan 系統「將技術反轉」,在晶圓下方使用加熱燈,最小化圖案負載效應,達到優異的加熱均勻度。
除了極佳的溫度均勻性,此系統還提供從超低溫到超高溫 (150°C–1300°C) 的廣泛製程溫度範圍。因此,此系統結合前代 Vantage Radiance™ Plus 的先進尖峰退火能力與多元附加步驟,如一秒內退火、超低溫度退火以及寬廣範圍的金屬退火。此系統的「快速尖峰式」淬火能消除尖峰退火的長冷卻時間,其對高效能低功耗元件的製造造成不利的影響,從而提升元件效能。Vulcan 系統持續實現接面和高介電常數材料/金屬閘極模組的先進微縮。
Vulcan 系統是首款燈式快速升溫製程機台,能在接近室溫下提供閉迴路能力,透過低溫製程採用的傳輸基礎多點溫度量測,達到優異的晶圓對晶圓可重複性。介面工程在先進節點製造中變得至關重要。Vulcan 系統的低溫能力能協助客戶將鎳或更先進的材料擴散至矽晶時為介面品質進行最佳化,達到更薄的尺寸、更優良的矽化層並提升良率。