先進元件微縮需要更薄及更優質的氧化層，同時須具備低漏電流、高可靠性、較低的熱積存等特性，以及更嚴密的製程控制。應用材料公司所提供的 Vantage RadOx RTP 具備自由基氧化化學特性，可在低熱積存下生成高密度、高品質的氧化層。
此系統創新技術突破關鍵氧化步驟的微縮障礙，如記憶體閘極氧化層、淺溝隔離內壁氧化層、犧牲氧化層、側壁氧化層、快閃記憶體穿隧氧化層、ONO 堆疊層。RadOx 搭載於經過生產驗證的高生產效率 Vantage 平台，可在領先業界的 Radiance 反應室中，通過嚴格的熱積存控制和製程過程監控，繼續生成優質的氧化層。
