Producer^® HARP^®

應用材料產品 Producer HARP（高深寬比製程）是一種非電漿純加熱型化學氣相沉積氧化膜產品，應用於淺溝隔離層（STI）和金屬前介電質層（PMD），可滿足先進邏輯鰭式場效應電晶體（FinFET）和記憶體技術節點嚴格間隙填充要求。

獨特的 HARP 製程採用專利 Ozone/TEOS 化學原料以改善電晶體效能，透過沉積應變誘導薄膜，可顯著增加 2D 平面邏輯中的電晶體驅動電流，以及記憶體元件中的停留時間，且不會增加製程整合複雜程度或成本。當配合其他應變誘導薄膜（如應力氮化物和 SiGe 磊晶）時，這些應變工程的好處更為顯著。該非電漿沉積製程也避免了電漿造成的損壞，帶來優異的元件可靠性。

應用材料的 HARP 製程在經生產驗證的高產量 Producer 平台生產。Producer 平台採用創新雙腔室架構，可同時處理多達六片晶圓，提供卓越的生產力，並藉由高系統可靠度大幅降低擁有成本。平台的擴充性可讓客戶利用 Producer 工具集來處理多個製程節點。