Producer^® HARP^®

应用材料公司的Producer HARP（高深宽比工艺）是一种非等离子体 CVD 热氧化工艺，可满足高级逻辑 FinFET和存储器技术节点的 STI（浅沟槽隔离层）和 PMD（金属前电介质层）等应用的严格间隙填充要求。

这一独特的HARP工艺采用获得专利的臭氧/TEOS化学技术，通过沉积应变诱导薄膜，显著提高二维平面逻辑器件中晶体管的驱动电流，延长存储器件中数据的保留时间，在不增加集成电路复杂度和成本的情况下，显著提升晶体管性能。当 HARP工艺与其他应变诱导薄膜（例如应力氮化物和锗硅外延）一起使用时，可带来叠加的应变工程优势。非等离子体沉积工艺还消除了等离子体引起的器件损坏，从而带来出色的器件可靠性。

应用材料公司的HARP工艺在经过生产验证的高产能Producer平台上运行。凭借其创新的双腔室架构，Producer平台最多可同时处理六片晶圆，而且系统可靠性高，生产效率出色，显著降低维护保养成本。该平台具备可扩展性，使客户能够将Producer机台应用于多种工艺节点。