Producer^® BLOk^™ PECVD

應用材料 Producer BLOk (低介電值阻障層) PECVD 系統可產生領先業界的超低介電值銅阻障層和蝕刻終止層薄膜，用於鑲嵌導電層應用。因 Producer 有 Twin Chamber^® 架構，每片晶圓在進行 BLOk 薄膜沉積之前先以專利製程進行原位移除氧化銅，以確保晶圓具備銅或鈷的高附着性，以減少電遷移。

BLOk 薄膜能夠大幅降低介電薄膜堆疊層的電容值，同時還可維持良好的蝕刻選擇性和電性，並可持降低 RC 值。經過驗證的表面處理及起始層製程使 BLOk 薄膜可以很容易地與 Black Diamond 薄膜整合，以確保和 45 奈米和以上元件的順利轉換。

經過生產驗證的高產量 Producer 平台，最高可以有六片晶圓同時操作，以提供高產率、大幅降低價格，並且維持系統的高可靠性。機台擴展性能可讓顧客在多個製程節點利用 Producer 設備組合。