Endura^®Impulse^™ PCRAM PVD

Applied Endura Impulse PVD系統是一套具有生產價值的整合材料解決方案( Integrated Materials Solution)，適用於相變化隨機存取記憶體 (PCRAM) 和電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 大批量製造 (HVM)。相變化隨機存取記憶體(PCRAM) 和電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 是新興的非揮發性記憶體，可以填補 DRAM（用於資料處理）和 NAND（用於資料儲存）之間不斷擴大的性價比差距。相變化隨機存取記憶體(PCRAM) 和電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 可以提高儲存和擷取的速度、效率和可靠性，因為即使在斷電時也能保留軟體和資料。

Impulse 系統由多達七個與預清潔、退火和脫氣反應室整合的沉積反應室組成。利用 Applied 在 PVD 方面的廣泛專業知識，沉積反應室採用多種經過驗證的 Applied PVD 技術以精確的精度沉積複合材料，藉此以低功耗來提高資料讀取速度。隨著全球產生的資料量呈指數級成長，人工智慧應用程序處理這些資料所需的能力不斷增加，更快速的資料存取和低功耗運算正成為當務之急。

專屬的 Impulse GST PVD 反應室可沉積複合相變材料，當通過電流加熱時，該材料會從高電導非晶態轉變為低電導晶態。這種材料是一種硫屬化物玻璃相，由鍺 (Ge)、銻 (Sb) 和碲 (Te) 組成，其縮寫為 GST。反應室卓越的 GST 密度可提升元件速度和延長耐用性。同樣，不同版本的 Impulse 反應室則經過優化，具有出色的厚度和成分均勻度控制，以沉積金屬氧化物和氮化物材料，可成為 ReRAM 應用的電阻記憶體材料。

該系統的 Avenir RF PVD 反應室可沉積雙向閾值開關 (OTS) 層；這通常是鍺 (Ge)、銻 (Sb) 和硒 (Se) 的化合物，也會根據電壓從導電性變為電阻性。OTS 是 PCRAM 和 ReRAM 中選擇器材料的首選。該反應室已經過強化，可生產精確閾值電壓和關斷狀態控制所需的緻密非晶薄膜。此外，自動電容調諧可在該層內實現最佳成分均勻度 — 這對記憶體可靠性和使用壽命至關重要 — 而磁排列則能有效控制整個晶圓的厚度均勻度。由軟體控制的整合鈍化保護層套件有助於在高產能下，以安全、經濟高效的方式維護 OTS 反應室。

為確保薄膜厚度保持在嚴格的規格範圍內，該系統有可在建立堆疊層時以線上量測來測量關鍵的 GST 及 OTS 層。這些測量非常精準（可達 0.2埃），因為從真空中測量並沒有改變或劣化從厚度推導出的薄膜特性。實時、逐層監控允許快速偵測程序偏移，這有助於提高產量、降低成本並加快上市時間 — HVM 的關鍵考慮因素。